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SK keyfoundry推出多层厚金属间电介质电容工艺:电容
（全球TMT2025年9月23日讯）韩国8英寸纯晶圆代工厂SKkeyfoundry宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质(ThickIMD)电容工艺电容。该工艺支持堆叠最多三层I
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（全球TMT2025年9月23日讯）韩国8英寸纯晶圆代工厂SKkeyfoundry宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质(ThickIMD)电容工艺电容。该工艺支持堆叠最多三层I